Sonoff S26R2 WiFi - 3680W Netzwerksteckdose - ferngesteuert
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Die dynamische Entwicklung elektronischer Systeme wurde stark von der Einführung eines Halbleiterelements beeinflusst, dem in der ersten Hälfte des 20. Jahrhunderts erfundenen Bipolartransistor. Ein Bipolartransistor besteht aus drei Halbleiterschichten mit unterschiedlichen Leitfähigkeitstypen (pnp oder npn), was zu zwei Arten von Bipolartransistoren führt - PNP und NPN. Die einzelnen Schichten haben ihre Namen: E - Emitter, B - Basis, C - Kollektor. Grundlage der Anwendung des Transistors ist die Abhängigkeit des Werts des größeren Stroms, der zwischen dem Emitter-Kollektor-Übergang fließt, von den Änderungen des Werts des niedrigeren Stroms, der in dem Basis-Emitter-Übergang fließt.
Fototransistor L-53P3C 5mm 940nm
Fototransistor im 5 mm Gehäuse. Maximale Empfindlichkeit für die Wellenlänge 940 nm. Ablesewinkel 30°. Transparente Linse.Fototransistor TEPT4400 3mm 570nm
Fototransistor im 3 mm Gehäuse . Maximale Empfindlichkeit für die Wellenlänge 570 nm . Ablesewinkel 60°. Transparente Linse.Fototransistor LIRT3B-940 3mm 940nm
Fototransistor im 3 mm Gehäuse. Maximale Empfindlichkeit für die Wellenlänge 940 nm. Linse verdunkelt.Fototransistor TEFT4300 3mm 925nm
Fototransistor im 3 mm Gehäuse. Maximale Empfindlichkeit für die Wellenlänge von 925 nm. Ablesewinkel 30°. Linse verdunkelt.Fototransistor SFH-313FA 5mm 870nm - 5 Stk.
Fototransistor im 5 mm Gehäuse. Maximale Empfindlichkeit für eine Wellenlänge ab 870 nm. Linse verdunkelt. Fototransistor paarweise verkauft.Auch prüfen
Unter Verwendung der photoelektrischen Eigenschaften von Halbleitern wurde eine modifizierte Version der Transistoren erfunden - Phototransistoren. Bei Fototransistoren wird die Stromstärke im Emitter-Kollektor-Übergang nicht durch den Basis-Emitter-Strom gesteuert, sondern durch die Intensität des auf diesen Übergang fallenden Lichts. Auf den Basis-Emitter-Übergang auftreffende Photonen polarisieren diese in Durchlassrichtung und bewirken so den Stromfluss im Emitter-Kollektor-Übergang, dessen Wert vom Wert der Beleuchtungsstärke abhängt. Im Sperrzustand leitet der Transistor keinen Strom durch den Emitter-Kollektor-Übergang, was einem Sperrzustand entspricht. Da der Basis-Emitter-Übergang nicht mit elektrischem Strom versorgt werden muss, haben Fototransistoren meist nur zwei Anschlüsse – den Emitter und den Kollektor. Es gibt auch Fototransistoren, bei denen die Basis herausgeführt ist und wie ein gewöhnlicher Bipolartransistor angesteuert werden kann. Der Vorteil von Fototransistoren gegenüber anderen fotoelektrischen Elementen, wie z. B. Fotowiderständen, ist eine viel kürzere Schalt-/Ansprechzeit und eine viel höhere Empfindlichkeit.
Wenn Sie Fototransistoren für Ihre Anwendungen richtig auswählen möchten, verwenden Sie die Strom-Spannungs-Kennlinien des Herstellers, um den für Ihre Anforderungen geeigneten Arbeitspunkt des Fototransistors zu bestimmen. Ein wichtiger Parameter ist die Wellenlänge, für die der Fototransistor seine maximale Empfindlichkeit erreicht. In Botland finden Sie Fototransistoren mit maximalen Empfindlichkeiten für Wellenlängen von 570 nm, 870 nm, 925 nm, 940 nm, was sowohl sichtbare als auch infrarote Strahlung abdeckt.
Fototransistoren werden aufgrund ihrer sehr hohen Empfindlichkeit und Arbeitsgeschwindigkeit in der Strahlungsdetektion verwendet, wo eine hohe Dynamik des Systems erforderlich ist, so dass in Hochgeschwindigkeitsmesssystemen als Analog-Digital-Wandler die Systeme optoelektronisch geschaltet werden. Sie können sie als Optoisolator verwenden, um Signale zwischen zwei elektronischen Systemen auszutauschen. Schauen Sie sich das Angebot von Botland an und entdecken Sie die Möglichkeiten von Fototransistoren!