Produktbeschreibung: N-MOSFET IRFZ34N - THT-Transistor - 5 Stk.
N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 55 V, Id 29 A und Widerstand 0,040 Ω . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage vorgesehen.
Spezifikation des N-MOSFET IRFZ34N-Transistors
- Maximaler Drainstrom Id: 29 A
- Maximale VDSS-Spannung: 55 V
- Kanalwiderstand Rdson: 0,040 Ω
- Gehäuse: TO-220
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