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Unipolare Transistoren (MOSFET)

Produkte: 7
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Mini Push MOSFET SV 4.5-40V / 4A Schalter - mit Rückstromschutz - Pololu 2809

Tastenmodul als Alternative zu mechanischen Tasten. Der Schalter ist bistabil, ein Druck schaltet den Strom ein und ein weiterer Druck schaltet ihn aus. Zusätzliche Eingänge...
5.0 (3)
Index: PLL-04854
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Großer Push-MOSFET-Schalter HP 4,5-40V / 16A - mit Rückstromschutz - Pololu 2813

Tastenmodul als Alternative zu mechanischen Tasten. Der Schalter ist bistabil, ein Druck schaltet den Strom ein und ein weiterer Druck schaltet ihn aus. Zusätzliche Eingänge...
5.0 (1)
Index: PLL-05117
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Großer Slide MOSFET MP 4.5-40V / 8A Schalter - mit Rückstromschutz - Pololu 2814

Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
5.0 (1)
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Mini-Schiebeschalter MOSFET LV 2-20V / 6A - mit Rückstromschutz - Pololu 2810

Executive-Modul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit höherem Stromverbrauch als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
5.0 (9)
Index: PLL-04852
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Großer Push-MOSFET-MP-Schalter 4,5-40 V / 8 A - mit Rückstromschutz - Pololu 2812

Tastenmodul als Alternative zu mechanischen Tasten. Der Schalter ist bistabil, ein Druck schaltet den Strom ein und ein weiterer Druck schaltet ihn aus. Zusätzliche Eingänge...
5.0 (2)
Index: PLL-05118
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Schiebe-MOSFET-SV-Minischalter 4,5-40 V / 4 A - mit Rückstromschutz - Pololu 2811

Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
Index: PLL-04853
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Großer Slider MOSFET HP Schalter 4,5-40V / 16A - mit Rückstromschutz - Pololu 2815

Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
Index: PLL-05120
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Schlüsselelemente von Transistoren

Die von uns angebotenen Unipolartransistoren (MOSFET) sind derzeit der am häufigsten eingesetzte Transistortyp, z. B. als Schalter zum Einschalten von Hochleistungsbauteilen. Die Struktur von Mosfet-Transistoren besteht aus fünf Grundelementen – Gate G, Isolator, Substrat B, Drain D und Source S. Die meisten der von uns angebotenen Transistoren haben ein Substrat, das mit der Source verbunden ist, also drei Pins. In der Kategorie der Unipolartransistoren (MOSFET) bieten wir zwei Arten dieses Elements an: mit einem N-Typ-Kanal und einem P-Typ-Kanal.

Zwei Kanäle mit Mosfet-Transistoren

Unser Angebot an Unipolartransistoren (MOSFET) umfasst zwei Versionen: N- und P-Typen, die sich in ihrem Aufbau unterscheiden. Die am häufigsten gewählten Transistoren sind solche mit einem angereicherten Kanal , bei dem ein Kanal entsteht, wenn eine Spannung zwischen Source und Gate angelegt wird. Durch den ausgeschalteten Transistor fließt kein Strom, da der Drain auf einem höheren Potenzial liegt als das Substrat, wodurch der pn-Übergang in Sperrrichtung vorgespannt wird. Jeder Heimwerker oder Konstrukteur kann sie als spannungsgesteuerte Schalter in nahezu allen Geräten oder Maschinen einsetzen.

MOSFET-Transistoren – Die wichtigsten Parameter

Unipolare Transistoren (MOSFET), die wir in unserem Botland-Shop anbieten, haben eine Reihe verschiedener Parameter , und die wichtigsten davon aus Sicht des gesteuerten Schalters, die von Heimwerkern am häufigsten verwendet werden, sind: Offener Kanalwiderstand , wobei der Transistor in diesem Zustand wie ein Widerstand arbeitet, wobei der Leistungsverlust umso geringer ist, je niedriger der Widerstand ist. Die maximale Gate-Source-Spannung , die nicht überschritten werden sollte, um den Transistor nicht zu beschädigen. Maximaler Entnahmestrom und maximaler Leistungsverlust .

Anwendung von Mosfet-Transformatoren

Die von uns angebotenen Unipolartransistoren (MOSFET) werden am häufigsten als spannungsgesteuerte Schalter verwendet, wobei die beiden größten Vorteile dieser Elemente zum Tragen kommen, nämlich kein Stromverbrauch durch das Gate und ein geringer Widerstand im offenen Kanal. Der Einsatz der von uns empfohlenen Bipolartransistoren empfiehlt sich, wenn das System mit Niederspannung betrieben wird.

Mosfet-Transistor (Unipolartransistor) – zusätzliche Informationen

Unipolartransistoren (MOSFETs) werden zur Steuerung von Lasten empfohlen, die Ströme in der Größenordnung von Ampere aufnehmen. Die wichtigste Schlussfolgerung aus dieser Gruppe der Elektronik ist die Tatsache, dass MOSFET-Transistoren Systeme sind, bei denen der fließende Strom vom Wert der angelegten Spannung abhängt. Wir empfehlen Ihnen, sich mit dem gesamten Spektrum der Transistorkategorie vertraut zu machen, zu dem unter anderem Folgendes gehört: Große Auswahl an Bipolartransistoren .

Die beliebtesten Mosfets.

In unserem Shop sind Dutzende von Transformatoren erhältlich, obwohl die produzierte Stückzahl um ein Vielfaches höher ist, aber einige Typen sind für Heimwerker und Elektronikeinsteiger nützlich. Am beliebtesten im Einzelhandel sind tatsächlich drei Typen: IRFZ44N – sein Hauptvorteil ist der niedrige Widerstand im offenen Kanal und die Fähigkeit, Hochspannung, IRL und BSS zu leiten. In dieser Rubrik bieten wir unter anderem: Mosfets, deren Einschaltspannung (empfohlene Betriebsspannung) bei 4,5 V beginnt (dann beginnt der Transistor zu leiten). Bei Fragen wenden Sie sich bitte an unsere technische Abteilung, wir beantworten jede Frage!

Unipolare Transistoren (MOSFET) – FAQ

Unipolartransistoren sind die Basis moderner Elektronik – in der diskreten Ausführung werden sie vor allem als Tast- (Schalt-) und Verstärkungselemente (in den Leistungsverstärkern von Audioverstärkern) eingesetzt.

MOS- Transistoren , wie auch andere Transistortypen (Bipolar oder IGBT), entstehen durch entsprechende Bearbeitung dünner Siliziumwafer – die Dotierung mit Atomen anderer Elemente ermöglicht die Erzeugung einzelner Bereiche und PN-Übergänge.

Ein Feldeffekttransistor hat drei Elektroden – Gate, Drain und Source. Durch Anlegen der entsprechenden Spannung an das Gate ändert sich die Ladungsverteilung im sogenannten Kanal, der den Widerstand zwischen Drain und Source ändert – dies wiederum moduliert den Stromfluss in diesem Stromkreis.

Der grundlegende Unterschied (aus Sicht des Nutzens) liegt in der Methode zur Steuerung des Transistors – während zum Öffnen eines Bipolartransistors ein entsprechender Basisstrom erforderlich ist, wird bei Unipolartransistoren der Strom im Drain-Kreis mithilfe von geregelt Gate-Spannung.