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Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das zum Verstärken oder Schalten von elektronischen Signalen und Elektrizität verwendet wird. Es ist der Grundbaustein moderner elektronischer Geräte und allgegenwärtig in den elektronischen Systemen um uns herum. Das erste praktisch umgesetzte Gerät dieser Art war ein 1947 von den amerikanischen Physikern John Bardeen, Walter Brattain und William Shockley erfundener Blatttransistor. Der Transistor revolutionierte die Elektronik und ebnete den Weg für kleinere und billigere Funkgeräte, Taschenrechner und Computer sowie viele andere Geräte. Transistoren sind heutzutage ein wesentliches Element in jedem elektronischen Projekt .
Bipolartransistor NPN BC337-40 45V / 0,8A - 5St.
Bipolartransistor NPN, 45 V, 0,8 A. Pinbelegung: CBE. Preis für 5 Stück.Bipolartransistor NPN BC639 80V / 1A - 5St.
Bipolartransistor NPN, 80 V, 1 A. Pinbelegung: ECB. Preis für 5 Stück.Bipolartransistor NPN BC338-40 25V / 0,8A - 5St.
Bipolartransistor NPN , 25 V, 0,8 A. Pinbelegung: CBE. Preis für 5 Stück .Bipolartransistor PNP BC557C 45V / 0,1A - 5St.
Bipolarer PNP-Transistor, 45 V / 0,1 A. Pinbelegung: EBC. Preis für 5 Stück.Bipolartransistor NPN BC546B 65V / 0,1A - 5St.
NPN-Bipolartransistor im TO92- Gehäuse, ausgelegt für THT -Montage. Die maximale Spannung des Transistors beträgt 65 V und der Kollektorstrom 0,1 A. Das Pin-Layout ist...Bipolartransistor NPN BC547B 50V / 0,1A - 5St.
NPN-Bipolartransistor, 50 V, 100 mA. Pinbelegung: CBE. Preis für 5 Stück.Bipolartransistor PNP BC556B 65V / 0,1A - 5St.
Ein Satz von fünf bipolaren PNP BC556B-Transistoren, die im TO-92- Gehäuse geschlossen sind. Transistoren mit drei Pins: Emitter, Basis, Kollektor. Sie sind für die...Bipolartransistor NPN 2N3904 40V / 0,2A - 5St.
Bipolartransistor NPN, 40 V, 0,2 A. Pinbelegung: EBC. Preis für 5 Stück.Bipolartransistor NPN 2N2222A ST - 5St.
Ein Satz von fünf bipolaren NPN-Transistoren 2N2222A, die im TO-92- Gehäuse eingeschlossen sind. Die Transistoren sind mit drei Pins ausgestattet: Emitter, Basis und...Transistor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5St.
Vds: 100 V. Id: 36 A. Rdson: 0,044 Ω. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.Satz Bipolartransistoren NPN und PNP TO-92 - 10 Werte - 200 Stk. - JustPi
Satz von NPN- und PNP-Bipolartransistoren . Enthält 10 verschiedene Arten von Transistoren von 20 Stück. Das Set enthält insgesamt 200 Stück Transistoren . Verpackt sind die...P-MOSFET-Transistor IRF4905 -55V/-74A - THT
D er Transistor IRF4905 ist ein elektronisches Hochstrom-P-MOSFET-Bauelement mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -55 V , einem Drain-Strom von -74 A und einer...Transistor N-MOSFET IRF520NPBF - THT - 5St.
Vds: 100 V. Id: 9,7 A. Rdson: 0,2 Ω. Gehäuse: TO-220.Darlington TIP122 NPN Bipolartransistor 100V/5A - 5St.
Der TIP122 ist ein bipolarer Darlington-NPN-Transistor, der Kollektorströme von bis zu 5 A und Kollektor-Emitter-Spannungen von bis zu 100 V unterstützt und eine hohe...Satz Bipolartransistoren im TO92-Gehäuse - 180 Stk.
Satz von 18 Arten von Bipolartransistoren im TO92-Gehäuse, je 10 Stück.Transistor P-MOSFET IRF9Z34 - THT - 5 Stk.
P-MOSFET-Unipolartransistor mit Spannung Vds: -55 V und Strom ID: -19 A. Geschlossen in TO-220-Gehäuse.Bipolartransistor NPN BD911 100V / 15A - 5 Stk.
Bipolarer NPN-Transistor, 100 V, 15 A. Pinbelegung: BCE. Preis für 5 Stück.Transistor P-MOSFET IRF9540 - THT - 5St.
VDS: 100V. ID: 23A. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.Mini-Schiebeschalter MOSFET LV 2-20V / 6A - mit Rückstromschutz - Pololu 2810
Executive-Modul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit höherem Stromverbrauch als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...N-MOSFET IRFZ34N - THT-Transistor - 5St.
N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 55 V, Id 29 A und Widerstand 0,040 Ω . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage...N-MOSFET IRLZ44N 55V / 47A - THT - 5St.
Vds: 55 V. Id: 47 A. Rdson: 0,022 Ω. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.Großer Slide MOSFET MP 4.5-40V / 8A Schalter - mit Rückstromschutz - Pololu 2814
Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...N-MOSFET IRF540N - THT - 5 Stk.
Vds: 100 V. Id: 22 A. Leistung: 85 W. Rds: 0,055 Ω. TO-220-Gehäuse. Preis für 5 Stk.Schiebe-MOSFET-SV-Minischalter 4,5-40 V / 4 A - mit Rückstromschutz - Pololu 2811
Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...Auch prüfen
Der Transistor ist ein Schlüsselelement in praktisch allen modernen elektronischen Geräten . Die Einsatzmöglichkeiten des Transistors sind äußerst vielfältig, weshalb er als eine der größten Erfindungen des 20. Jahrhunderts gilt. Seine Bedeutung in der heutigen Gesellschaft beruht auf seiner Fähigkeit, in einem hochautomatisierten Prozess in Massenproduktion hergestellt zu werden, der erstaunlich niedrige Kosten erzielt. Obwohl die überwiegende Mehrheit der Transistoren mittlerweile auf integrierten Schaltkreisen hergestellt wird, gibt es auf dem Markt immer noch viele verschiedene Arten diskreter Transistoren.
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das aus drei Halbleiterschichten besteht, die den Stromfluss steuern. Darüber hinaus ist dieses Element mit mindestens drei Pins zum Anschluss an einen externen Stromkreis ausgestattet. Eine Spannung oder ein Strom (sogar ein kleiner Strom), der an ein Transistorklemmenpaar angelegt wird, steuert den Strom durch ein anderes Klemmenpaar. Da die gesteuerte Leistung (Ausgangsleistung) höher sein kann als die Steuerleistung (Eingangsleistung), kann der Transistor das Signal verstärken. Die meisten Transistoren bestehen aus sehr reinem Silizium oder Germanium, es können aber auch andere Halbleitermaterialien verwendet werden. Vereinfacht ausgedrückt fließt ein kleiner Strom zwischen Emitter und Basis und kann einen größeren Strom steuern, der zwischen Emitter und Kollektor fließt.
Was ist über Bipolartransistoren wissenswert? Ein Bipolartransistor (BJT) kann nur eine Ladungsträgerart enthalten, in einem Feldeffekttransistor (FET) können zwei Ladungsträgerarten gleichzeitig nebeneinander existieren. Diese Elemente unterscheiden sich in ihrem Aufbau und damit in ihren Wirkprinzipien. Auch in der Elektronik werden Hochleistungstransistoren eingesetzt.
Bipolartransistoren werden so genannt, weil sie sowohl mit Mehrheits- als auch mit Minderheitsträgern arbeiten. Ein solcher Transistor ist eine Kombination aus zwei Dioden. Der Transistor besteht aus einer dünnen Schicht eines Halbleitertyps, die zwischen zwei Schichten des anderen Typs (PNP oder NPN) angeordnet ist. Im Gegensatz dazu nutzt ein Feldeffekttransistor, manchmal auch Unipolartransistor genannt, Elektronen oder Löcher zur Leitung. Neben einer großen Auswahl an Transistoren bieten wir auch einen praktischen Elektronikkurs an, der grundlegende Informationen zu den am häufigsten verwendeten elektronischen Bauteilen enthält.
Einfach ausgedrückt sind Transistoren Geräte, die den Strom- oder Spannungsfluss regeln und als Schalter oder Tor für elektronische Signale fungieren. Transistoren bestehen aus drei Schichten Halbleitermaterial, die jeweils Strom leiten können.
Es kommt auf das Projekt an. Ein Bipolartransistor kann eine Art Ladungsträger enthalten. In einem Feldeffekttransistor (MOSFET) können zwei Arten von Ladungsträgern nebeneinander existieren. Bipolartransistoren arbeiten sowohl mit Majoritäts- als auch mit Minoritätsträgern. Ein Feldeffekttransistor oder unipolarer Transistor verwendet Elektronen oder „Löcher“ zur Leitung.
Transistoren sind die grundlegende Erfindung nach Halbleitern, die der Welt sehr geholfen haben. Parameter wie Spannung, Strom oder Bandbreite können durch Modifikation passiver Komponenten geändert werden. Zu den einfachen Projekten mit Transistoren zählen alle Systeme mit einer Blinkdiode, selbst entworfenen Uhren oder einem automatischen Nachtlicht. Es gibt viele Möglichkeiten.