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Unipolare Transistoren (MOSFET)

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Großer Push-MOSFET-MP-Schalter 4,5-40 V / 8 A - mit Rückstromschutz - Pololu 2812

Tastenmodul als Alternative zu mechanischen Tasten. Der Schalter ist bistabil, ein Druck schaltet den Strom ein und ein weiterer Druck schaltet ihn aus. Zusätzliche Eingänge...
5.0 (1)
Index: PLL-05118
Index: PLL-05118
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Testkit, Tester für elektronische Komponenten - M12864 KIT

Kit zum Testen und Erkennen elektronischer Komponenten wie PNP-, NPN-Bipolartransistoren, P- und N-Kanal-MOSFETs, JFETs und Dioden. Es verfügt über einen...
5.0 (11)
Index: MOD-05056
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Schiebe-MOSFET-SV-Minischalter 4,5-40 V / 4 A - mit Rückstromschutz - Pololu 2811

Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
Index: PLL-04853
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Mini Push MOSFET SV 4.5-40V / 4A Schalter - mit Rückstromschutz - Pololu 2809

Tastenmodul als Alternative zu mechanischen Tasten. Der Schalter ist bistabil, ein Druck schaltet den Strom ein und ein weiterer Druck schaltet ihn aus. Zusätzliche Eingänge...
5.0 (2)
Index: PLL-04854
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Großer Push-MOSFET-Schalter HP 4,5-40V / 16A - mit Rückstromschutz - Pololu 2813

Tastenmodul als Alternative zu mechanischen Tasten. Der Schalter ist bistabil, ein Druck schaltet den Strom ein und ein weiterer Druck schaltet ihn aus. Zusätzliche Eingänge...
5.0 (1)
Index: PLL-05117
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Großer Slide MOSFET MP 4.5-40V / 8A Schalter - mit Rückstromschutz - Pololu 2814

Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
5.0 (1)
Index: PLL-05119
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Transistor N-MOSFET STP10NK60ZFP - THT - 5St.

Unipolarer Transistor Typ N-MOSFET STP10NK60ZFP . Die Drain-Spannung beträgt 600 V und der Drain-Strom 5,7 A. Geschlossen im TO220FP-Gehäuse, Durchsteckmontage.
5.0 (7)
Index: UCC-17314
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N-MOSFET IRFZ34N - THT-Transistor - 5St.

N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 55 V, Id 29 A und Widerstand 0,040 Ω . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage vorgesehen.
5.0 (1)
Index: AKS-18306
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Verkaufspreis 4,00 € Preis 4,00 €
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Transistor P-MOSFET IRF9Z34 - THT - 5 Stk.

P-MOSFET-Unipolartransistor mit Spannung Vds: -55 V und Strom ID: -19 A. Geschlossen in TO-220-Gehäuse.
5.0 (3)
Index: UCC-01661
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Verkaufspreis 3,90 € Preis 3,90 €
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Transistor P-MOSFET IRF9640 - THT - 5St.

P-MOSFET-Feldeffekttransistor mit einer Spannung von V DSS 200 V und maximaler Drainstrom I D 11 A. Alles ist in einem TO220-Gehäuse eingeschlossen. Das Element...
5.0 (1)
Index: AKS-16952
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Verkaufspreis 5,50 € Preis 5,50 €
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Mini-Schiebeschalter MOSFET LV 2-20V / 6A - mit Rückstromschutz - Pololu 2810

Executive-Modul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit höherem Stromverbrauch als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
5.0 (7)
Index: PLL-04852
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Testkit, THT-Tester für elektronische Komponenten - BTE-056

Kit zum Testen und Erkennen von elektronischen Bauteilen wie PNP- und NPN-Bipolartransistoren, MOSFET-Transistoren mit P- und N-Kanal und Dioden. Der eingebaute Bildschirm...
4.9 (8)
Index: MOD-06282
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N-MOSFET IRLZ44N 55V / 47A - THT - 5St.

Vds: 55 V. Id: 47 A. Rdson: 0,022 Ω. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.
5.0 (1)
Index: UCC-01950
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N-MOSFET IRF540N - THT - 5 Stk.

Vds: 100 V. Id: 22 A. Leistung: 85 W. Rds: 0,055 Ω. TO-220-Gehäuse. Preis für 5 Stk.
5.0 (3)
Index: UCC-00731
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Transistor P-MOSFET IRF9540 - THT - 5St.

VDS: 100V. ID: 23A. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.
4.8 (8)
Index: UCC-00128
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Transistor N-MOSFET IRF520NPBF - THT - 5St.

Vds: 100 V. Id: 9,7 A. Rdson: 0,2 Ω. Gehäuse: TO-220.
4.8 (7)
Index: UCC-02610
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Transistor N-MOSFET IRFZ44N 55V / 41A - THT - 5St.

Vds: 55 V. Id: 41 A. Leistung: 83 W. Rds: 0,0175 Ω. TO-220-Gehäuse. Transistoren werden in einem Satz von 5 Stück verkauft.
5.0 (16)
Index: KAB-06494
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Transistor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5St.

Vds: 100 V. Id: 36 A. Rdson: 0,044 Ω. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.
5.0 (12)
Index: UCC-00127
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Transistor N-MOSFET T2910 100V / 21A - THT - TO220

N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 100 V, Id 21 A und Widerstand 24 mΩ . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage vorgesehen.
5.0 (1)
Index: TME-20609
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P-MOSFET-Transistor IRF4905 -55V/-74A - THT

D er Transistor IRF4905 ist ein elektronisches Hochstrom-P-MOSFET-Bauelement mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -55 V , einem Drain-Strom von -74 A und einer...
Index: DNG-25087
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Verkaufspreis 1,90 € Preis 1,90 €
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N-MOSFET-Transistor IRF740 400V/10A - THT

Der IRF740 ist ein N-MOSFET, der für den Betrieb bis zu 400 V und bis zu 10 A ausgelegt ist . Er zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand von 0,55 Ω und...
Index: DNG-25089
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Großer Slider MOSFET HP Schalter 4,5-40V / 16A - mit Rückstromschutz - Pololu 2815

Ausführungsmodul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit einer höheren Stromaufnahme als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
Index: PLL-05120
Index: PLL-05120
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N-MOSFET 2N7000 Transistor - 10St.

N-MOSFET THT Unipolartransistor, 60 V, 0,2 A. Preis für 10 Stück.
5.0 (3)
Index: UCC-08318
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Schlüsselelemente von Transistoren

Die von uns angebotenen Unipolartransistoren (MOSFET) sind derzeit der am häufigsten eingesetzte Transistortyp, z. B. als Schalter zum Einschalten von Hochleistungsbauteilen. Die Struktur von Mosfet-Transistoren besteht aus fünf Grundelementen – Gate G, Isolator, Substrat B, Drain D und Source S. Die meisten der von uns angebotenen Transistoren haben ein Substrat, das mit der Source verbunden ist, also drei Pins. In der Kategorie der Unipolartransistoren (MOSFET) bieten wir zwei Arten dieses Elements an: mit einem N-Typ-Kanal und einem P-Typ-Kanal.

Zwei Kanäle mit Mosfet-Transistoren

Unser Angebot an Unipolartransistoren (MOSFET) umfasst zwei Versionen: N- und P-Typen, die sich in ihrem Aufbau unterscheiden. Die am häufigsten gewählten Transistoren sind solche mit einem angereicherten Kanal , bei dem ein Kanal entsteht, wenn eine Spannung zwischen Source und Gate angelegt wird. Durch den ausgeschalteten Transistor fließt kein Strom, da der Drain auf einem höheren Potenzial liegt als das Substrat, wodurch der pn-Übergang in Sperrrichtung vorgespannt wird. Jeder Heimwerker oder Konstrukteur kann sie als spannungsgesteuerte Schalter in nahezu allen Geräten oder Maschinen einsetzen.

MOSFET-Transistoren – Die wichtigsten Parameter

Unipolare Transistoren (MOSFET), die wir in unserem Botland-Shop anbieten, haben eine Reihe verschiedener Parameter , und die wichtigsten davon aus Sicht des gesteuerten Schalters, die von Heimwerkern am häufigsten verwendet werden, sind: Offener Kanalwiderstand , wobei der Transistor in diesem Zustand wie ein Widerstand arbeitet, wobei der Leistungsverlust umso geringer ist, je niedriger der Widerstand ist. Die maximale Gate-Source-Spannung , die nicht überschritten werden sollte, um den Transistor nicht zu beschädigen. Maximaler Entnahmestrom und maximaler Leistungsverlust .

Anwendung von Mosfet-Transformatoren

Die von uns angebotenen Unipolartransistoren (MOSFET) werden am häufigsten als spannungsgesteuerte Schalter verwendet, wobei die beiden größten Vorteile dieser Elemente zum Tragen kommen, nämlich kein Stromverbrauch durch das Gate und ein geringer Widerstand im offenen Kanal. Der Einsatz der von uns empfohlenen Bipolartransistoren empfiehlt sich, wenn das System mit Niederspannung betrieben wird.

Mosfet-Transistor (Unipolartransistor) – zusätzliche Informationen

Unipolartransistoren (MOSFETs) werden zur Steuerung von Lasten empfohlen, die Ströme in der Größenordnung von Ampere aufnehmen. Die wichtigste Schlussfolgerung aus dieser Gruppe der Elektronik ist die Tatsache, dass MOSFET-Transistoren Systeme sind, bei denen der fließende Strom vom Wert der angelegten Spannung abhängt. Wir empfehlen Ihnen, sich mit dem gesamten Spektrum der Transistorkategorie vertraut zu machen, zu dem unter anderem Folgendes gehört: Große Auswahl an Bipolartransistoren .

Die beliebtesten Mosfets.

In unserem Shop sind Dutzende von Transformatoren erhältlich, obwohl die produzierte Stückzahl um ein Vielfaches höher ist, aber einige Typen sind für Heimwerker und Elektronikeinsteiger nützlich. Am beliebtesten im Einzelhandel sind tatsächlich drei Typen: IRFZ44N – sein Hauptvorteil ist der niedrige Widerstand im offenen Kanal und die Fähigkeit, Hochspannung, IRL und BSS zu leiten. In dieser Rubrik bieten wir unter anderem: Mosfets, deren Einschaltspannung (empfohlene Betriebsspannung) bei 4,5 V beginnt (dann beginnt der Transistor zu leiten). Bei Fragen wenden Sie sich bitte an unsere technische Abteilung, wir beantworten jede Frage!

Unipolare Transistoren (MOSFET) – FAQ

Unipolartransistoren sind die Basis moderner Elektronik – in der diskreten Ausführung werden sie vor allem als Tast- (Schalt-) und Verstärkungselemente (in den Leistungsverstärkern von Audioverstärkern) eingesetzt.

MOS- Transistoren , wie auch andere Transistortypen (Bipolar oder IGBT), entstehen durch entsprechende Bearbeitung dünner Siliziumwafer – die Dotierung mit Atomen anderer Elemente ermöglicht die Erzeugung einzelner Bereiche und PN-Übergänge.

Ein Feldeffekttransistor hat drei Elektroden – Gate, Drain und Source. Durch Anlegen der entsprechenden Spannung an das Gate ändert sich die Ladungsverteilung im sogenannten Kanal, der den Widerstand zwischen Drain und Source ändert – dies wiederum moduliert den Stromfluss in diesem Stromkreis.

Der grundlegende Unterschied (aus Sicht des Nutzens) liegt in der Methode zur Steuerung des Transistors – während zum Öffnen eines Bipolartransistors ein entsprechender Basisstrom erforderlich ist, wird bei Unipolartransistoren der Strom im Drain-Kreis mithilfe von geregelt Gate-Spannung.