Ein Bipolartransistor (BJT) ist ein Transistortyp, der sowohl Elektronen als auch Löcher als Ladungsträger verwendet . Unipolare Transistoren wie Feldeffekttransistoren (FETs) verwenden nur eine Art von Ladungsträgern, um Strom durch ihre Struktur zu transportieren. BJT-Komponenten verwenden zwei PN-Übergänge für den Betrieb zwischen zwei Arten von Halbleitern vom n- und p-Typ.Diese Komponenten sind als einzelne diskrete Komponenten verfügbar oder in integriertenSchaltungen hergestellt, oft in sehr großen Mengen. Prüfen Sie, ob unser Angebot Bipolartransistoren enthält, die für Ihr Projekt geeignet sind.
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Index: DEV-21974
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Bipolartransistor NPN BC547B 50V / 0,1A - 5St.
NPN-Bipolartransistor, 50 V, 100 mA. Pinbelegung: CBE. Preis für 5 Stück.
Index: UCC-00254
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Bipolartransistor NPN BC337-40 45V / 0,8A - 5St.
Bipolartransistor NPN, 45 V, 0,8 A. Pinbelegung: CBE. Preis für 5 Stück.
Index: UCC-01239
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Bipolartransistor NPN BC639 80V / 1A - 5St.
Bipolartransistor NPN, 80 V, 1 A. Pinbelegung: ECB. Preis für 5 Stück.
Index: UCC-00683
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Bipolartransistor PNP BC557C 45V / 0,1A - 5St.
Bipolarer PNP-Transistor, 45 V / 0,1 A. Pinbelegung: EBC. Preis für 5 Stück.
Index: UCC-02063
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Bipolartransistor NPN 2N3904 40V / 0,2A - 5St.
Bipolartransistor NPN, 40 V, 0,2 A. Pinbelegung: EBC. Preis für 5 Stück.
Index: UCC-01775
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Bipolartransistor NPN BC338-40 25V / 0,8A - 5St.
Bipolartransistor NPN , 25 V, 0,8 A. Pinbelegung: CBE. Preis für 5 Stück .
Index: UCC-03545
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Bipolartransistor NPN 2N2222A ST - 5St.
Ein Satz von fünf bipolaren NPN-Transistoren 2N2222A, die im TO-92- Gehäuse eingeschlossen sind. Die Transistoren sind mit drei Pins ausgestattet: Emitter, Basis und...
Index: AKS-18995
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Bipolartransistor NPN BC546B 65V / 0,1A - 5St.
NPN-Bipolartransistor im TO92- Gehäuse, ausgelegt für THT -Montage. Die maximale Spannung des Transistors beträgt 65 V und der Kollektorstrom 0,1 A. Das Pin-Layout ist...
Index: UCC-05248
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Bipolartransistor PNP BC556B 65V / 0,1A - 5St.
Ein Satz von fünf bipolaren PNP BC556B-Transistoren, die im TO-92- Gehäuse geschlossen sind. Transistoren mit drei Pins: Emitter, Basis, Kollektor. Sie sind für die...
Index: AKS-19033
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Bipolartransistor NPN Darlington MPSA29 100V / 0,8A
Bipolarer NPN-Transistor, 100 V, 800 mA. Pinbelegung: EBC. Preis für 1 Stück.
Index: UCC-05023
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Satz Bipolartransistoren im TO92-Gehäuse - 180 Stk.
Satz von 18 Arten von Bipolartransistoren im TO92-Gehäuse, je 10 Stück.
Index: UCC-07579
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Bipolartransistor NPN KSP13-K33 30V / 0,5A - 5St.
Ein Satz von fünf NPN-Bipolartransistoren BC556B ist im TO-92- Gehäuse geschlossen. Transistoren mit drei Pins: Emitter, Basis, Kollektor. Sie sind für die...
Index: TME-19293
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Bipolarer NPN-Transistor 2SC5200 230V/15A - THT
Der 2SC5200 ist ein NPN-Bipolartransistor, der eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 230 V und einen Kollektorstrom von bis zu 15 A unterstützt . Er hat ein...
Index: DNG-25091
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Testkit, Tester für elektronische Komponenten - M12864 KIT
Kit zum Testen und Erkennen elektronischer Komponenten wie PNP-, NPN-Bipolartransistoren, P- und N-Kanal-MOSFETs, JFETs und Dioden. Es verfügt über einen...
Index: MOD-05056
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Bipolartransistor NPN BD911 100V / 15A - 5 Stk.
Bipolarer NPN-Transistor, 100 V, 15 A. Pinbelegung: BCE. Preis für 5 Stück.
Index: UCC-07875
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Testkit, THT-Tester für elektronische Komponenten - BTE-056
Kit zum Testen und Erkennen von elektronischen Bauteilen wie PNP- und NPN-Bipolartransistoren, MOSFET-Transistoren mit P- und N-Kanal und Dioden. Der eingebaute Bildschirm...
Index: MOD-06282
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Darlington TIP122 NPN Bipolartransistor 100V/5A - 5St.
Der TIP122 ist ein bipolarer Darlington-NPN-Transistor, der Kollektorströme von bis zu 5 A und Kollektor-Emitter-Spannungen von bis zu 100 V unterstützt und eine hohe...
Index: DNG-25090
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BJT-Transistor – die grundlegendsten diskreten Elemente
Der Bipolar-Blade-Transistor wurde im Dezember 1947 in den Bell Telephone Laboratories von John Bardeen und Walter Brattain unter der Aufsicht von William Shockley erfunden. Die nächste Version dieses Designs, der Bipolar-Junction-Transistor (BJT) , wurde ein Jahr später von Shockley erfunden. Dies eröffnete enorme Möglichkeiten in der Elektronik. Transistoren ersetzten Vakuumröhren . Sie sind besser, kleiner und energieeffizienter , aber die Technologie zur Herstellung dieser Art von Elementen hat sich seit ihrer Erfindung bis heute dramatisch verändert. Dennoch ist es nach wie vor ein integraler Bestandteil jedes elektronischen Systems. Mit Transistoren konnten wir nicht nur die Größe von Radios und Fernsehern reduzieren, sondern auch die Entwicklung integrierter Schaltkreise ermöglichen, deren Struktur oft Millionen von Transistoren enthält.
Wie sind Bipolartransistoren aufgebaut? Was beeinflusst den Stromfluss?
Ein Bipolartransistor besteht aus drei unterschiedlich dotierten Halbleitergebieten – Emitter, Basis und Kollektor . Diese Bereiche sind P- oder N-dotiert und abwechselnd angeordnet. Jeder Halbleiterbereich ist mit einem Anschluss verbunden, der entsprechend gekennzeichnet ist: Emitter (E), Basis (B) und Kollektor (C). Die Basis liegt zwischen Emitter und Kollektor und besteht aus einem leicht dotierten, hochohmigen Material. Der Kollektor umgibt den Emitterbereich, sodass es für in den Basisbereich injizierte Elektronen nahezu unmöglich ist, zu entweichen, ohne sie zu sammeln. Der resultierende Verstärkungswert in Basisschaltung liegt sehr nahe bei eins, wodurch der Transistor einen großen Verstärkungswert in Kollektorschaltung erhält. Die Stromverstärkung eines Transistors hängt von seinem Typ ab.
Bipolartransistor – NPN- und PNP-Elemente – Unterschiede in Struktur und Funktionsweise
Die Reihenfolge, in der die P- und N-Schichten in einem Bipolartransistor angeordnet sind, bestimmt seinen Typ und seine Funktionsweise . BJTs sind in zwei Typen oder Polaritäten erhältlich, bekannt als PNP und NPN . Ein NPN-Transistor enthält zwei Halbleiterübergänge, die sich einen dünnen P-dotierten Bereich teilen, während ein PNP-Transistor zwei Halbleiterübergänge enthält, die sich einen dünnen N-dotierten Bereich teilen. NPN ist einer von zwei Arten von Bipolartransistoren. Es besteht aus einer Schicht aus P-dotiertem Halbleiter zwischen zwei N-dotierten Schichten. Der kleine Strom, der in die Basis fließt (Basisstrom genannt), wird verstärkt, um einen großen Kollektor- und Emitterstrom zu erzeugen. Um einen großen Kollektorstrom zu erhalten, ist das Vorhandensein eines NPN-Transistors erforderlich.
Bei einer positiven Potentialdifferenz, gemessen von der Basis zum Emitter, ist der Transistor aktiv. PNP-Transistoren sind genau umgekehrt aufgebaut. Sie haben auch den gegenteiligen Effekt. Sie sind aktiv, wenn an der Basis keine Spannung anliegt. Sind Sie an weiteren Informationen zum NPN-Transistor interessiert? Sie wissen nicht, wie Sie das Kollektorstromverhältnis oder den Emitterstrom überprüfen können? Oder interessieren Sie sich vielleicht für interessante Fakten rund um den NPN-Transistor? Dann empfehlen wir Ihnen, unseren Blog zu lesen, in dem wir wertvolle Beiträge und praktische Informationen veröffentlichen.
Bipolartransistoren – FAQ
Bipolartransistoren finden sich unter anderem in in den Leistungsverstärkern einiger Audioverstärker sowie in den analogen Spuren akustischer Vorverstärker. Eine häufige Anwendung von BJT-Transistoren ist das Schalten (Schalt-)Lasten, z. B. Relaisspulen .
Bipolartransistoren waren in der Vergangenheit die Grundlage für den Aufbau fast aller elektronischen Systeme (einschließlich integrierter Schaltkreise). Heutzutage werden BJT-Transistoren am häufigsten zur Laststeuerung verwendet, obwohl sie auch in einigen Audiodesigns zu finden sind.
Bipolartransistoren haben drei Anschlüsse, die als Basis (B), Kollektor (C oder – in der polnischen Literatur – K) und Emitter (E) bezeichnet werden.
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement , das hauptsächlich zur Signalverstärkung verwendet wird. Bipolartransistoren steuern den Strom im Kollektor-Emitter-Kreis auf der Grundlage eines um ein Vielfaches (50x oder mehr) kleineren Stroms, der durch die Basis fließt.