Warum N-MOSFET?
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) ist eine der beliebtesten Arten von Transistoren, die in der Elektronik verwendet werden. Es besteht aus Gate, Drain, Source, Halbleiter und einem Isolator (oder N-Kanal-Raum). Kontakte sind mit Drain und Source verbunden - zwischen ihnen befindet sich eine Halbleiteroberfläche, die mit einer dünnen Isolatoroberfläche bedeckt ist. Diese Transistoren arbeiten hauptsächlich mit den Eigenschaften von Halbleitern vom Typ N und P. Sie entstehen durch Mischen von Silizium mit einem Element, das ein Valenzelektron mehr (Donoren) hat - der N-Halbleiter wird gebildet, oder ein Valenzelektron weniger (Akzeptoren) - der P-Halbleiter entsteht Anlagerung der Atome eines Elements an Silizium mit einem Valenzelektron mehr als im Silizium (Donoren) zur Erzeugung eines N-Typ-Halbleiters Ähnlich verhält es sich, wenn Atome eines Elements mit einem Valenzelektron weniger (Akzeptoren) werden zu Silizium hinzugefügt - dann entsteht ein Halbleiter vom P-Typ N-MOSFETs sind N-Kanal-Transistoren - das Substrat hat dotierte Akzeptoren, während Drain und Source dotierte Donatoren haben.
Was bieten wir in dieser Rubrik an?
Unser N-MOSFET-Angebot umfasst eine große Auswahl an N-Typ-Transistoren, Minischaltern und Kits zum Testen elektronischer Komponenten. Diese Geräte sind sehr vielseitig - sie sind in der Lage, eine Vielzahl unterschiedlicher Komponenten zu erkennen und deren Eigenschaften anzugeben. Es ist ein sehr hilfreiches Werkzeug für jeden Elektroniker. Wenn Sie beispielsweise elektronische Bauteile haben und nicht wissen, was sie sind (z. B. weil die Farbe abgewaschen ist und Sie sie nicht an der Form erkennen können), lernen Sie, was sie sind und welche Eigenschaften sie haben. Wenn es sich um einen Widerstand handelt, erhalten Sie Informationen über seinen Widerstand, und wenn es sich um einen Kondensator handelt, kennen Sie seine Kapazität. Die Geräte sind angepasst, um Elemente zu erkennen, die in THT-Technologie (für Durchsteckmontage) und SMD (für Oberflächenmontage) hergestellt sind. Sie können MOSFETs (mit P- und N-Kanälen), Bipolartransistoren (PNP und NPN) und Elemente wie Widerstände, Kondensatoren und Dioden erkennen. Einige Geräte haben auch die Funktion eines kleinen Rechtecksignalgenerators, PWM-Signalgenerators und Frequenzmessers.
Transistoren
Die Hauptprodukte in dieser Kategorie sind natürlich Transistoren. Wir haben unter anderem doppelte SMD-Transistoren (geschlossen im SO-08-Gehäuse) - der maximale Drainstrom beträgt 3,5 A, die maximale Spannung darf 20 V nicht überschreiten, der Widerstand beträgt etwa 0,1 Ω. Einzelne SMD-Transistoren sind auch im 5er-Pack erhältlich - die maximale Spannung beträgt 30 V, der Strom 5 A und der Widerstand nur 0,029 Ω. Im 5er Pack bieten wir auch Modelle geschlossen im SOT-223 (SMD) Gehäuse mit einem maximalen Drainstrom von 2 A, maximale Spannung von 55 V, geschlossen im MICRO3 (SMD) Gehäuse mit einem maximalen Drainstrom von 4,2 A, maximale Spannung von 20 V und Widerstand von 0,045 Ω und geschlossen in SOT-23 (SMD) mit einem maximalen Drainstrom von 1,2 A, einer maximalen Spannung von 20 V und einem Widerstand von 0,25 Ω. Wir haben auch Durchstecktransistoren (THT) - im TO-220-Gehäuse mit einem maximalen Drainstrom von 9,7 A, einer maximalen Spannung von 100 V und einem Widerstand von 0,2 Ω, im TO-220-Gehäuse mit maximal Drain-Strom von 26 A, Spannung von 50 V und Widerstand 0,55 Ω und je 10 Stück in TO92-Gehäusen mit einem maximalen Drain-Strom von 0,2 A, maximaler Spannung von 60 V und Widerstand von 9 Ω, je 5 Stück in TO-220-Gehäusen, mit einem maximalen Drainstrom von 41 A, einer maximalen Spannung von 55 V und einem Widerstand von 0,0175 Ω, je 5 Stück in TO-220-Gehäusen, mit einem maximalen Drainstrom von 22 A, einer maximalen Spannung von 100 V und einem Widerstand von 0,055 Ω, 5 Stück jeweils mit einem maximalen Drainstrom von 36 A, einer maximalen Spannung von 100 V und einem Widerstand von 0,044 Ω und 5 Stück mit jeweils einem maximalen Drainstrom von 47 A, einer maximalen Spannung von 55 V und einem Widerstand von 0,022 Ω.
