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N-MOSFET

Produkte: 13
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Transistor N-MOSFET IRFZ44N 55V / 41A - THT - 5St.

Vds: 55 V. Id: 41 A. Leistung: 83 W. Rds: 0,0175 Ω. TO-220-Gehäuse. Transistoren werden in einem Satz von 5 Stück verkauft.
Index: KAB-06494
Index: KAB-06494
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Verkaufspreis 4,50 € Preis 4,50 €
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Transistor N-MOSFET T2910 100V / 21A - THT - TO220

N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 100 V, Id 21 A und Widerstand 24 mΩ . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage vorgesehen.
Index: TME-20609
Index: TME-20609
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Verkaufspreis 1,00 € Preis 1,00 €
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N-MOSFET IRLZ44N 55V / 47A - THT - 5St.

Vds: 55 V. Id: 47 A. Rdson: 0,022 Ω. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.
Index: UCC-01950
Index: UCC-01950
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Verkaufspreis 6,50 € Preis 6,50 €
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Mini-Schiebeschalter MOSFET LV 2-20V / 6A - mit Rückstromschutz - Pololu 2810

Executive-Modul mit einem MOSFET-Transistor mit zwei P-Kanälen zur Steuerung von Geräten mit höherem Stromverbrauch als vom Steuerungssystem zugelassen, z. B. einem...
Index: PLL-04852
Index: PLL-04852
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Verkaufspreis 5,50 € Preis 5,50 €
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Testkit, Tester für elektronische Komponenten - M12864 KIT

Kit zum Testen und Erkennen elektronischer Komponenten wie PNP-, NPN-Bipolartransistoren, P- und N-Kanal-MOSFETs, JFETs und Dioden. Es verfügt über einen...
Index: MOD-05056
Index: MOD-05056
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N-MOSFET IRFZ34N - THT-Transistor - 5St.

N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 55 V, Id 29 A und Widerstand 0,040 Ω . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage vorgesehen.
Index: AKS-18306
Index: AKS-18306
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Verkaufspreis 3,90 € Preis 3,90 €
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Testkit, THT-Tester für elektronische Komponenten - BTE-056

Kit zum Testen und Erkennen von elektronischen Bauteilen wie PNP- und NPN-Bipolartransistoren, MOSFET-Transistoren mit P- und N-Kanal und Dioden. Der eingebaute Bildschirm...
Index: MOD-06282
Index: MOD-06282
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Verkaufspreis 23,50 € Preis 23,50 €
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Transistor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5St.

Vds: 100 V. Id: 36 A. Rdson: 0,044 Ω. Gehäuse: TO-220. Preis für 5 Stk.
Index: UCC-00127
Index: UCC-00127
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Verkaufspreis 6,00 € Preis 6,00 €
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N-MOSFET IRF540N - THT - 5 Stk.

Vds: 100 V. Id: 22 A. Leistung: 85 W. Rds: 0,055 Ω. TO-220-Gehäuse. Preis für 5 Stk.
Index: UCC-00731
Index: UCC-00731
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Verkaufspreis 5,50 € Preis 5,50 €
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N-MOSFET 2N7000 Transistor - 10St.

N-MOSFET THT Unipolartransistor, 60 V, 0,2 A. Preis für 10 Stück.
Index: UCC-08318
Index: UCC-08318
Vorübergehend nicht erreichbar
Wartezeit: 1-2 Wochen
Verkaufspreis 1,90 € Preis 1,90 €
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Transistor N-MOSFET IRF520NPBF - THT - 5St.

Vds: 100 V. Id: 9,7 A. Rdson: 0,2 Ω. Gehäuse: TO-220.
Index: UCC-02610
Index: UCC-02610
Vorübergehend nicht erreichbar
Wartezeit: 4-6 Wochen
Verkaufspreis 3,00 € Preis 3,00 €
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Testkit, Tester für THT- und SMD-Elektronikkomponenten - BTE-057

Kit zum Testen und Erkennen von elektronischen Bauteilen wie PNP- und NPN-Bipolartransistoren, MOSFET-Transistoren mit P- und N-Kanal und Dioden. Der eingebaute Bildschirm...
Index: MOD-06283
Index: MOD-06283
Vorübergehend nicht erreichbar
Wartezeit: 2-4 Wochen
Verkaufspreis 35,90 € Preis 35,90 €
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Transistor N-MOSFET STP10NK60ZFP - THT - 5St.

Unipolarer Transistor Typ N-MOSFET STP10NK60ZFP . Die Drain-Spannung beträgt 600 V und der Drain-Strom 5,7 A. Geschlossen im TO220FP-Gehäuse, Durchsteckmontage.
Index: UCC-17314
Index: UCC-17314
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Verkaufspreis 5,50 € Preis 5,50 €
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Warum N-MOSFET?

MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) ist eine der beliebtesten Arten von Transistoren, die in der Elektronik verwendet werden. Es besteht aus Gate, Drain, Source, Halbleiter und einem Isolator (oder N-Kanal-Raum). Kontakte sind mit Drain und Source verbunden - zwischen ihnen befindet sich eine Halbleiteroberfläche, die mit einer dünnen Isolatoroberfläche bedeckt ist. Diese Transistoren arbeiten hauptsächlich mit den Eigenschaften von Halbleitern vom Typ N und P. Sie entstehen durch Mischen von Silizium mit einem Element, das ein Valenzelektron mehr (Donoren) hat - der N-Halbleiter wird gebildet, oder ein Valenzelektron weniger (Akzeptoren) - der P-Halbleiter entsteht Anlagerung der Atome eines Elements an Silizium mit einem Valenzelektron mehr als im Silizium (Donoren) zur Erzeugung eines N-Typ-Halbleiters Ähnlich verhält es sich, wenn Atome eines Elements mit einem Valenzelektron weniger (Akzeptoren) werden zu Silizium hinzugefügt - dann entsteht ein Halbleiter vom P-Typ N-MOSFETs sind N-Kanal-Transistoren - das Substrat hat dotierte Akzeptoren, während Drain und Source dotierte Donatoren haben.

Was bieten wir in dieser Rubrik an?

Unser N-MOSFET-Angebot umfasst eine große Auswahl an N-Typ-Transistoren, Minischaltern und Kits zum Testen elektronischer Komponenten. Diese Geräte sind sehr vielseitig - sie sind in der Lage, eine Vielzahl unterschiedlicher Komponenten zu erkennen und deren Eigenschaften anzugeben. Es ist ein sehr hilfreiches Werkzeug für jeden Elektroniker. Wenn Sie beispielsweise elektronische Bauteile haben und nicht wissen, was sie sind (z. B. weil die Farbe abgewaschen ist und Sie sie nicht an der Form erkennen können), lernen Sie, was sie sind und welche Eigenschaften sie haben. Wenn es sich um einen Widerstand handelt, erhalten Sie Informationen über seinen Widerstand, und wenn es sich um einen Kondensator handelt, kennen Sie seine Kapazität. Die Geräte sind angepasst, um Elemente zu erkennen, die in THT-Technologie (für Durchsteckmontage) und SMD (für Oberflächenmontage) hergestellt sind. Sie können MOSFETs (mit P- und N-Kanälen), Bipolartransistoren (PNP und NPN) und Elemente wie Widerstände, Kondensatoren und Dioden erkennen. Einige Geräte haben auch die Funktion eines kleinen Rechtecksignalgenerators, PWM-Signalgenerators und Frequenzmessers.

Transistoren

Die Hauptprodukte in dieser Kategorie sind natürlich Transistoren. Wir haben unter anderem doppelte SMD-Transistoren (geschlossen im SO-08-Gehäuse) - der maximale Drainstrom beträgt 3,5 A, die maximale Spannung darf 20 V nicht überschreiten, der Widerstand beträgt etwa 0,1 Ω. Einzelne SMD-Transistoren sind auch im 5er-Pack erhältlich - die maximale Spannung beträgt 30 V, der Strom 5 A und der Widerstand nur 0,029 Ω. Im 5er Pack bieten wir auch Modelle geschlossen im SOT-223 (SMD) Gehäuse mit einem maximalen Drainstrom von 2 A, maximale Spannung von 55 V, geschlossen im MICRO3 (SMD) Gehäuse mit einem maximalen Drainstrom von 4,2 A, maximale Spannung von 20 V und Widerstand von 0,045 Ω und geschlossen in SOT-23 (SMD) mit einem maximalen Drainstrom von 1,2 A, einer maximalen Spannung von 20 V und einem Widerstand von 0,25 Ω. Wir haben auch Durchstecktransistoren (THT) - im TO-220-Gehäuse mit einem maximalen Drainstrom von 9,7 A, einer maximalen Spannung von 100 V und einem Widerstand von 0,2 Ω, im TO-220-Gehäuse mit maximal Drain-Strom von 26 A, Spannung von 50 V und Widerstand 0,55 Ω und je 10 Stück in TO92-Gehäusen mit einem maximalen Drain-Strom von 0,2 A, maximaler Spannung von 60 V und Widerstand von 9 Ω, je 5 Stück in TO-220-Gehäusen, mit einem maximalen Drainstrom von 41 A, einer maximalen Spannung von 55 V und einem Widerstand von 0,0175 Ω, je 5 Stück in TO-220-Gehäusen, mit einem maximalen Drainstrom von 22 A, einer maximalen Spannung von 100 V und einem Widerstand von 0,055 Ω, 5 Stück jeweils mit einem maximalen Drainstrom von 36 A, einer maximalen Spannung von 100 V und einem Widerstand von 0,044 Ω und 5 Stück mit jeweils einem maximalen Drainstrom von 47 A, einer maximalen Spannung von 55 V und einem Widerstand von 0,022 Ω.