Produktbeschreibung: N-MOSFET IRF520NPBF - THT-Transistor - 5 Stk.
Das grundlegende elektronische Element - der Transistor - mit einem maximalen Drainstrom von 9,7 A und einer maximalen Spannung von 100 V. Das TO-220-Gehäuse mit einer Befestigungsbohrung erleichtert die Wärmeableitung.
Parameter des N-MOSFET-Transistors IRF520NPBF
- Maximaler Drainstrom Id: 9,7 A
- Maximale VDSS-Spannung: 100 V
- Widerstand des Rdson-Kanals: 0,2 Ω
- Thermischer Widerstand Verbindungsgehäuse: 3,1 K / W
- Gate-Ladung: 16,7 nC
- Gehäuse: TO-220
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N-MOSFET IRF520NPBF - THT-Transistor - 5 Stk.
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