Produktbeschreibung: P-MOSFET-Transistor IRF4905 -55 V / -74 A - THT
Der Transistor IRF4905 ist ein elektronisches Hochstrom-Bauelement vom Typ P-MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -55 V und einem maximalen Drainstrom von -74 A bei 25°C. Die Schwellenspannung dieses Transistors reicht von -2 V bis -4 V und die maximale Gate-Source-Spannungsdifferenz beträgt ±20 V. Der Transistor weist eine Verlustleistung von 200 W und einen Durchlasswiderstand von 0,02 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von -10 V auf, was eine hohe Effizienz bei der Leitung großer Ströme gewährleistet. Der Transistor IRF4905 eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen hohe Ströme bei niedrigen Spannungen gesteuert werden müssen, und bietet gleichzeitig thermische Stabilität und hohe Zuverlässigkeit.
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P-MOSFET-Transistor IRF4905 -55 V / -74 A - THT.
Die maximale Betriebstemperatur des Transistors beträgt 175°C.
Spezifikationen des Transistors IRF4905
- Typ des Transistors: P-MOSFET
- Drain-Source-Spannung (Vds): -55 V
- Drain-Strom (Id): -74 A bei 25°C
- Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)): -2 V bis -4 V
- Maximale Gate-Source-Differenzspannung (Vgs): ±20 V
- Maximale Verlustleistung: 200 W
- Maximale Betriebstemperatur: 175°C
- On-Widerstand: 0,02 Ω bei einer Gate-Source-Spannungsdifferenz (Vgs) von -10 V
- Gehäuse: TO-220AB
