Produktbeschreibung: N-MOSFET-Transistor IRF740 400 V / 10 A - THT
DerIRF740 ist ein N-MOSFET-Transistor, der für Hochspannungs- und Hochstrombetrieb ausgelegt ist. Dieses Bauteil unterstützt Drain-Source-Spannungen von bis zu 400 V und Drain-Ströme von bis zu 10 A. Seine Gate-Schwellenspannung beträgt 10 V, was bedeutet, dass er diese Gate-to-Source-Spannung benötigt, um vollständig aktiviert zu werden. Die maximale Potenzialdifferenzspannung zwischen Gate und Source beträgt dagegen ±20 V. Der Transistor weist auch einen relativ niedrigen Durchlasswiderstand von 0,55 Ω auf, was sich in geringen Leistungsverlusten niederschlägt. Die maximale Verlustleistung dieses Elements beträgt 125 W, wodurch es sich für Hochleistungssysteme wie Wechselrichter, Umrichter und USV eignet. Es kann bei Temperaturen von bis zu 150°C betrieben werden und ist in einem TO-220-Gehäuse erhältlich .
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N-MOSFET-Transistor IRF740 400 V / 10 A - THT.
Die maximale Betriebstemperatur des Transistors beträgt 150°C.
Spezifikation des Transistors IRF740
- Typ des Transistors: N-MOSFET
- Drain-Source-Spannung (Vds): 400 V
- Drain-Strom (Id): 10 A
- Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)): 10 V
- Maximale Gate-Source-Differenzspannung (Vgs): ±20 V
- Maximale Verlustleistung: 125 W
- Maximale Betriebstemperatur: 150°C
- Einschaltwiderstand: 0,55 Ω
- Gehäuse: TO-220
