Produktbeschreibung: Fototransistor LIRT3B-940 3 mm 940 nm
Fototransistor im 3 mm Gehäuse. Maximale Empfindlichkeit für die Wellenlänge 940 nm. Linse verdunkelt.
Spezifikation des Fototransistors
- Maximale Empfindlichkeit für die Wellenlänge: 940 nm
- Linse verdunkelt
- Gehäuse: Durchgangsloch 3 mm
Details in der Dokumentation .
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