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Produktbeschreibung: N-MOSFET IRLL014N-Transistor
Der N-MOSFET-Transistor hat die Fähigkeit, das elektrische Signal mit einem maximalen Drain-Strom von 2 A zu verstärken. Detaillierte Informationen zum Produkt finden Sie in der Dokumentation. Transistoren sind in der Elektronik, Technik und Elektrizität weit verbreitet. Preis für 5 Stk.
Spezifikation des N-MOSFET IRLL014N-Transistors
- Maximaler Drainstrom Id - 2A
- Die maximale Spannung von VDSS-55V
- SOT-223 (SMD) Gehäuse