NPN Bipolartransistor KSP13-K33 30V/0,5A - 5St.

Index: TME-19293 EAN: 5904422308049
Ein Satz von fünf NPN-Bipolartransistoren BC556B ist im TO-92- Gehäuse geschlossen. Transistoren mit drei Pins: Emitter, Basis, Kollektor. Sie sind für die THT-Durchsteckmontage ausgelegt. Die Polarisierung von NPN -Transistoren führt dazu, dass wir den Stromfluss mit einem hohen Potential aktivieren. Die maximale Spannung vom Kollektor zum Emitter beträgt 30 V und der Kollektorstrom 0,5 A. Die Leistung eines einzelnen Transistors beträgt 625 mW . Transistoren können für alle Arten von elektronischen Projekten verwendet werden.
NPN Bipolartransistor KSP13-K33 30V/0,5A - 5St.
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Hersteller: OEM

Produktbeschreibung: NPN KSP13-K33 Bipolartransistor 30 V / 0,5 A - 5 Stk

Ein Satz von fünf NPN- Bipolartransistoren BC556B ist im TO-92- Gehäuse geschlossen. Transistoren mit drei Pins: Emitter, Basis, Kollektor. Sie sind für die THT-Durchsteckmontage ausgelegt. Die Polarisierung von NPN -Transistoren führt dazu, dass wir den Stromfluss mit einem hohen Potential aktivieren. Die maximale Spannung vom Kollektor zum Emitter beträgt 30 V und der Kollektorstrom 0,5 A. Die Leistung eines einzelnen Transistors beträgt 625 mW . Transistoren können für alle Arten von elektronischen Projekten verwendet werden.

Die Artikel werden in 5er-Bündeln verkauft.

Bipolartransistor NPN KSP13-K33 30V / 0,5A - 5St.


Bipolartransistor NPN KSP13-K33 30 V / 0,5 A.

Bipolartransistor NPN KSP13-K33 30V / 0,5A - 5St.

Bipolartransistor NPN KSP13-K33 30 V / 0,5 A - 5 Stk.

Spezifikation des Transistors KSP13-K33

  • Gehäuse: TO-92
  • Transistorpolarität: NPN
  • Transistortyp: Bipolar
  • Transistormontage: THT
  • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V
  • Kollektorstrom: 0,5 A
  • Kollektor-Basisspannung: 30V
  • Emitter-Basis-Spannung: 10 V
  • Leistung: 625 mW
  • Frequenz: 125 MHz
  • Stückzahl im Paket: 5

Bipolartransistor NPN KSP13-K33 30V / 0,5A - 5St. Botland - Robotikgeschäft

Wir bieten einen Satz von 5 Stück NPN KSP13-K33 Bipolartransistoren an. Dies sind elektronische Komponenten, die in THT-Technologie (Through-Hole) hergestellt werden und jeweils drei Standardanschlüsse haben, die als Kollektor, Basis und Emitter bezeichnet werden.

Ein NPN-Transistor ist ein Bauelement, das zwei Halbleiterübergänge enthält, die das P-dotierte Gebiet teilen: Die kleinen Ströme, die zur Basis fließen, werden verstärkt, wodurch ein entsprechend großer Kollektor- und Emitterstrom entsteht. Sobald eine positive Potentialdifferenz (von Basis zu Emitter) besteht, wird der Transistor aktiv.

Bipolartransistoren

Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung beträgt jeweils 30 V (Kollektor - Basis: 30 V, Emitter - Basis: 10 V) und der Kollektorstrom beträgt 0,5 A.

In unserem Angebot finden Sie viele weitere elektronische Bauelemente verschiedenster Art – die meisten davon sind sowohl in THT-Gehäusen als auch in diversen SMD-Größen erhältlich. Das gesamte Sortiment des Botland-Geschäfts umfasst hauptsächlich alle Arten von Geräten aus den Bereichen Elektronik und Robotik.

Niebezpieczne Komponente
PAKETBREITE 4 cm
PAKETHÖHE 0.1 cm
PAKETTIEFE 8 cm
PAKETGEWICHT 0.001 kg

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Anweisungen und Dokumente

Certyfikat RoHS 19293.pdf

Produktinformation

Das Produkt ist eine Komponente, die für die weitere Montage/den Prototypenbau bestimmt ist. Es stellt kein eigenständiges fertiges Produkt im Sinne der Vorschriften über die Produktsicherheit dar.

Dane GPSR

Herkunftsland: Polen

Hersteller-Kontaktdaten: Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ul. Ustronna 41 93-350 Łódź, Polska [email protected]

EU-Vermarkter-Kontaktdaten: Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ul. Ustronna 41 93-350 Łódź, Polska [email protected]

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