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N-MOSFET doppelt IRF7101 20V / 3,5A - SMD

N-MOSFET doppelt IRF7101 20V / 3,5A - SMD

Index: UCC-00734
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Dualer N-MOSFET. Id: 305 A. Vdss: 20 V. Leistung: 2 W Rds: 0,1 Ω. Gehäuse: SO-08.

N-MOSFET doppelt IRF7101 20V / 3,5A - SMD
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Produktbeschreibung: N-MOSFET doppelt IRF7101 20V / 3,5A - SMD

N-MOSFET IRF7101-Transistor mit einer maximalen Spannung von 20 V und einem Strom von 3,5 A. Oberflächenmontierter SMD, geschlossen im SO-8-Gehäuse.

Spezifikation des N-MOSFET IRF7101-Transistors

  • Maximale VDSS-Spannung: 20 V
  • Maximaler Drainstrom Id: 3,5 A
  • Kanalwiderstand Rds: 0,1 Ω
  • Gehäuse: SO-8 (SMD)

IRF7101-Transistor N-MOSFET IRF7101-Transistor.

Details in der Dokumentation .

PAKETBREITE 0.001 cm
PAKETHÖHE 0.001 cm
PAKETTIEFE 0.001 cm
PAKETGEWICHT 0.001 kg
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