Produktbeschreibung: Transistor N-MOSFET T2910 100V / 21A - THT - TO220
N-MOSFET-Transistor im TO220-Gehäuse. Der Chip hat folgende Parameter: VDSS 100 V, Id 21 A und Widerstand 24 mΩ . Das Element ist für die THT-Durchsteckmontage vorgesehen.
Unterschiede zwischen unipolaren und bipolaren Transistoren
Bipolartransistoren zeichnen sich dadurch aus, dass mit steigender Temperatur auch der Kollektorstrom ansteigt, was eine Parallelschaltung mehrerer Transistoren unter Umständen unmöglich macht.
Aufgrund ihres technischen Aufbaus sind MOSFET-(Unipolar-)Transistoren sehr empfindlich gegenüber elektrostatischen Aufladungen. Die maximale Spannung U GS liegt bei den meisten Modellen in der Regel bei etwa 20 V, so dass sie auch durch Berühren des Transistors in einem völlig trockenen Raum leicht unbemerkt überschritten werden kann.
N-MOSFET-Transistor T2910 100V / 21A - THT - TO220.
Der N-MOSFET T2910-Transistor hat drei Pins für die THT-Montage.
Transistorspezifikation
- Hersteller: Alfa & Omega Semiconductor
- Hersteller-Teilenummer: AOT2910L
- Transistortyp: N-MOSFET
- Polarisation: unipolar
- Maximale Drain-Spannung - Source: 100 V
- Entladestrom: 21 A.
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Vorwärtswiderstand: 24 mΩ
- Fall: TO220
- Montage: THT-Durchgangsloch
- Gate-Ladung: 7 nC
- Verlustleistung: 25 W
- Kanaltyp: angereichert
Wie funktioniert ein N-MOSFET-Transistor?
Der N-MOSFET-Transistor unterscheidet sich gegenüber dem NPN- und PNP-Bipolartransistor im Aufbau seiner internen Halbleiterstruktur. Dieser Faktor erfordert auch das Vorhandensein von Unterschieden im Funktionsprinzip. Im Gegensatz zu Bipolartransistoren, bei denen der Kollektor-Emitter-Stromfluss durch den Basisstrom im Feldeffekttransistor getrieben wird, wird der Drain-Source-Stromfluss durch die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET angelegte Spannung gesteuert.
Transistor N-MOSFET T2910 100V / 21A - THT - TO220 - Anwendungen
Der angebotene N-Kanal MOSFET T2910 kann in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt werden - überall dort, wo präzises Steuern und Schalten hoher Ströme erforderlich ist. Mit mehreren solcher Feldeffekttransistoren können wir beispielsweise einen DC-Motortreiber oder eine Audioverstärker-Endstufe in einer Gegentakttopologie aufbauen. Ein solcher Transistor kann auch zur Ansteuerung einer Schützspule oder eines elektromechanischen Relais verwendet werden.
