Produktbeschreibung: N-MOSFET IRF540N - THT
Unipolarer N-MOSFET-Transistor mit einer Spannung von VDDS 100 V und einem maximalen Strom von Id 22 A. Geschlossen im TO-220-Gehäuse.
Spezifikation des IRF540N-Transistors
- Maximaler Drainstrom Id: 22 A.
- Maximale VDSS-Spannung: 100 V
- Kanalwiderstand Rds: 0,055 Ω
- Leistung: 85 W
- Gehäuse: TO-220