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Transistor N-MOSFET BS170 - THT - 4 Stk.
Unipolarer N-MOSFET-Transistor mit folgenden Parametern: V DS 60 V , I D 0,3 A und Widerstand 5 Ω . Das Bauteil ist in einem kleinen TO-92- Gehäuse untergebracht.
Spezifikation des N-MOSFET IRFZ34N-Transistors
- Maximaler Drainstrom Id: 29 A
- Maximale VDSS-Spannung: 55 V
- Kanalwiderstand Rdson: 0,040 Ω
- Gehäuse: TO-92