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N-MOSFET IRF540NS 100V / 33A - SMD

N-MOSFET IRF540NS 100V / 33A - SMD

Index: UCC-00733
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Vds: 100 V. Id: 33 A. Leistung: 130 W. Rds: 0,044 Ω. D2PAK-Gehäuse.

N-MOSFET IRF540NS 100V / 33A - SMD
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Produktbeschreibung: N-MOSFET IRF540NS 100 V / 33 A - SMD

N-MOSFET IRF540NS-Transistor mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem Strom von 33 A. Die maximale Leistung beträgt 130 W. System oberflächenmontiertes SMD, in einem D2PAK-Gehäuse.

Spezifikation des IRF540NS-Transistors

  • Maximale Spannung Vds: 100 V
  • Maximaler Drainstrom Id: 33 A.
  • Leistung: 130 W
  • Kanalwiderstand Rds: 0,044 Ω
  • Gehäuse: D2PAK

IRF540NS-Transistor N-MOSFET IRF540NS-Transistor.

Einzelheiten in der Dokumentation

PAKETBREITE 0.001 cm
PAKETHÖHE 0.001 cm
PAKETTIEFE 0.001 cm
PAKETGEWICHT 0.001 kg
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Herkunftsland: Polen

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