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Produktbeschreibung: N-MOSFET doppelt IRF7303 - SMD
N-MOSFET IRF7303-Transistor mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von 4,9 A. Die maximale Leistung beträgt 2 W. Geschlossen im SO-8-Gehäuse, oberflächenmontiertes SMD.
Spezifikation des N-MOSFET IRF7303-Transistors
- Dualer N-MOSFET
- Maximale VDSS-Spannung: 30 V
- Maximaler Drainstrom Id: 4,9 A
- Kanalwiderstand Rds: 0,05 Ω
- Leistung: 2 W
- Gehäuse: SO-8
N-MOSFET IRF7303-Transistor.
Einzelheiten in der Dokumentation
